1.1真空鍍膜vacuumcoating：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。

1.2基片substrate：膜層承受體。

1.3試驗(yàn)基片testingsubstrate：在鍍膜開(kāi)始、鍍膜過(guò)程中或鍍膜結(jié)束后用作測(cè)量和(或)試驗(yàn)的基片。

1.4鍍膜材料coatingmaterial：用來(lái)制取膜層的原材料。

1.5蒸發(fā)材料evaporationmaterial：在真空蒸發(fā)中用來(lái)蒸發(fā)的鍍膜材料。

1.6濺射材料sputteringmaterial：有真空濺射中用來(lái)濺射的鍍膜材料。

1.7膜層材料(膜層材質(zhì))filmmaterial：組成膜層的材料。

1.8蒸發(fā)速率evaporationrate：在給定時(shí)間間隔內(nèi),蒸發(fā)出來(lái)的材料量,除以該時(shí)間間隔

1.9濺射速率sputteringrate：在給定時(shí)間間隔內(nèi),濺射出來(lái)的材料量,除以該時(shí)間間隔。

1.10沉積速率depositionrate：在給定時(shí)間間隔內(nèi),沉積在基片上的材料量,除以該時(shí)間間隔和基片表面積。

1.11鍍膜角度coatingangle：入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。

2工藝

2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating：使鍍膜材料蒸發(fā)的真空鍍膜過(guò)程。

2.1.1同時(shí)蒸發(fā)simultaneousevaporation：用數(shù)個(gè)蒸發(fā)器把各種蒸發(fā)材料同時(shí)蒸鍍到基片上的真空蒸發(fā)。

2.1.2蒸發(fā)場(chǎng)蒸發(fā)evaporationfieldevaporation：由蒸發(fā)場(chǎng)同時(shí)蒸發(fā)的材料到基片上進(jìn)行蒸鍍的真空蒸發(fā)(此工藝應(yīng)用于大面積蒸發(fā)以獲得到理想的膜厚分布)。

2.1.3反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactivevacuumevaporation：通過(guò)與氣體反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空蒸發(fā)。

2.1.4蒸發(fā)器中的反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactivevacuumevaporationinevaporator：與蒸發(fā)器中各種蒸發(fā)材料反應(yīng),而獲得理想化學(xué)成分膜層材料的真空蒸發(fā)。

2.1.5直接加熱的蒸發(fā)directheatingevaporation：蒸發(fā)材料蒸發(fā)所必須的熱量是對(duì)蒸發(fā)材料(在坩堝中或不用坩堝)本身加熱的蒸發(fā)。

2.1.6感應(yīng)加熱蒸發(fā)inducedheatingevaporation：蒸發(fā)材料通過(guò)感應(yīng)渦流加熱的蒸發(fā)。

2.1.7電子束蒸發(fā)electronbeamevaporation：通過(guò)電子轟擊使蒸發(fā)材料加熱的蒸發(fā)。

2.1.8激光束蒸發(fā)laserbeamevaporation：通過(guò)激光束加熱蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。

2.1.9間接加熱的蒸發(fā)indirectheatingevaporation：在加熱裝置(例如小舟形蒸發(fā)器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等)中使蒸發(fā)材料獲得蒸發(fā)所必須的熱量并通過(guò)熱傳導(dǎo)或熱輻射方式傳遞給蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。

2.1.10閃蒸flashevaportion：將極少量的蒸發(fā)材料間斷地做瞬時(shí)的蒸發(fā)。

2.2真空濺射vacuumsputtering：在真空中，惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子(分子)或原子團(tuán)的過(guò)程。

2.2.1反應(yīng)性真空濺射reactivevacuumsputtering：通過(guò)與氣體的反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空濺射。

2.2.2偏壓濺射biassputtering：在濺射過(guò)程中，將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。

2.2.3直流二級(jí)濺射directcurrentdiodesputtering：通過(guò)二個(gè)電極間的直流電壓，使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。

2.2.4非對(duì)稱(chēng)性交流濺射asymmtricalternatecurrentsputtering：通過(guò)二個(gè)電極間的非對(duì)稱(chēng)性交流電壓，使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。

2.2.5高頻二極濺射highfrequencydiodesputtering：通過(guò)二個(gè)電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負(fù)電位的濺射。

2.2.6熱陰極直流濺射(三極型濺射)hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于熱陰極和陽(yáng)極獲得非自持氣體放電，氣體放電所產(chǎn)生的離子，由在陽(yáng)極和陰極(靶)之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。

2.2.7熱陰極高頻濺射(三極型濺射)hotcathodehighfrequencysputtering：借助于熱陰極和陽(yáng)極獲得非自持氣體放電，氣體放電產(chǎn)生的離子，在靶表面負(fù)電位的作用下加速而轟擊靶的濺射。

2.2.8離子束濺射ionbeamsputtering：利用特殊的離子源獲得的離子束使靶的濺射。

2.2.9輝光放電清洗glowdischargecleaning：利用輝光放電原理，使基片以及膜層表面經(jīng)受氣體放電轟擊的清洗過(guò)程。

2.3物理氣相沉積;PVDphysicalvapordeposition：在真空狀態(tài)下，鍍膜材料經(jīng)蒸發(fā)或?yàn)R射等物理方法氣化，沉積到基片上的一種制取膜層的方法。

2.4化學(xué)氣相沉積;CVDchemicalvapordeposition：一定化學(xué)配比的反應(yīng)氣體，在特定激活條件下(通常是一定高的溫度)，通過(guò)氣相化學(xué)反應(yīng)生成新的膜層材料沉積到基片上制取膜層的一種方法。